海力士将在今年Q2生产第二代 10纳米级工艺内存

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  4月26日消息 根据外媒报道,SK海力士透露,公司将增加其第一代10纳米级制造工艺(即1X nm)的DRAM产量,并将在下半年开始销售其制造的第二代10纳米级制造技术(又名1Y nm)的内存。加速向10纳米级技术的过渡将使该公司增加DRAM输出,最终降低成本,并为下一代内存做准备。

海力士将在今年Q2生产第二代 10纳米级工艺内存

  使用SK海力士1Y nm生产技术制造的首批产品将是其8 Gb DDR4-3200内存芯片。该制造商表示,与使用其1X nm制造技术制造的类似器件相比,新工艺使其能够将8 Gb DDR4器件的芯片尺寸缩小20%,并将其功耗降低15%。此外,SK海力士即将推出的8 Gb DDR4-3200芯片具有两项重要改进:4相时钟方案以及Sense放大器控制技术。

  虽然这些技术即使在今年对于DDR4也很重要,但据报道,SK海力士将使用其1Y nm制造工艺制造DDR5,LPDDR5和GDDR6 DRAM。因此,海力士必须尽快提升其第二代10纳米级制造技术,为未来做好准备。

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