SK 海力士正式推出1Z nm 16Gb内存芯片,32GB单条内存将迎来大量出货

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  10月21日消息 SK海力士公司今天宣布,已经开发出了1Znm 16Gb DDR4 DRAM芯片,是业界单个芯片的最大密度,与上一代产品1Y纳米相比,该产品的生产率提高了约27%,由于不需要昂贵的极紫外(EUV)光刻,它在成本上具有竞争优势。

  新的1Z nm DRAM还支持高达3200 Mbps的数据传输速率,SK海力士称与1Y nm 8gb DRAM相同密度的模块相比,其功耗降低了约40%。

  SK海力士计划将1Znm技术流程扩展到多种应用领域,例如下一代移动DRAM LPDDR5和HBM3。

  16Gb内存芯片的推出也意味着32GB单条内存将迎来大量出货,对于只有两条插槽的ITX主板来说,也可轻松组成64GB双通道内存了。

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