美光第四代3D NAND芯片出样,高达128层,阵列设计方法上继续使用CMOS

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  10月6日消息 日前,美光宣布第一批第四代3D NAND存储芯片流片已经出样,全新的第四代3D NAND基于美光的RG架构,预计2020年美光第四代3D NAND闪存将开始商用。尽管如此,美光警告称,使用新架构的存储芯片将仅用于特定应用,因此明年其3D NAND成本削减将微乎其微。

  美光第四代3D NAND高达128层,阵列设计方法上继续使用CMOS。美光第四代3D NAND改变了用于栅替换的浮栅技术,这样可以降低尺寸和成本并提高性能。该技术完全由美光公司开发,没有英特尔介入。

  美光现阶段正提高96层3D NAND的产量,并于明年开始大量使用。128层3D NAND硬件不会立即导致每比特成本显着下降,但是会随着时间推移而下降。后续工艺节点也可能具有至少128层,并且如果被广泛使用,它将大大降低产品每比特成本。

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