外媒: Die芯片的出现将使得DDR4 内存更加便宜

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  9月9日消息 不久前,三星开始出货首批1z纳米(12-14nm)光刻工艺的A Die芯片,外媒WCCFTECH认为,A Die芯片的出现将使得DDR4 内存更加便宜。

  WCCFTECH表示,三星的DDR4 B Die是在20nm制程上制造的,价格相对昂贵,但却受到了世界各地超频爱好者的喜爱,因为这些内存可以达到非常高时钟速度。

  相比之下,三星的A Die采用1z nm制程,这将使三星在大幅降低RAM价格的同时增加产量。

  虽然10nm制程具有更高的规模经济效益和更小的物理模具,但也存在一些问题。三星A-die内存编号M378A4G43AB2-CVF,支持高密度双面设计,容量32 GB,时钟速度没有什么特别之处(2933 MHz),但是CL21-21-21的时序却很高。相比之下,大多数DDR4三星B Die在这个频率下可以低至CL17。不过,值得注意的是,随着三星流程的成熟,这一点可能会得到改善。

  WCCFTECH认为,三星的B-die可能突然变得昂贵得多。英国电子零售商MemoryCow已将三星M378A4G43AB2-CVF模块上市,售价128.33英镑,约1100元。

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