三星宣布量产搭载第六代TLC V-NAND的新型250GB SSD

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  8月7日消息 昨天上午三星宣布开始大规模生产新型250GB SATA固态硬盘(SSD),集成了三星的第六代256Gb 3-bit V-NAND。

  三星称,利用“通道孔蚀刻”技术,新的V-NAND比之前的90+层单堆叠结构增加了约40%的层数,达到了136层。

  随着每个单元堆叠高度的增加,NAND闪存芯片更容易出现错误和读取延迟。为了克服这种局限性,三星重新进行电路设计,使它获得最快的数据传输速度,低于450微秒(μs)写操作和低于45μs读取延迟。与上一代相比,这意味着性能提高了10%以上,而功耗降低了15%以上。

  三星表示,凭借高速和低功耗的特点,三星不仅计划将其3D V-NAND扩展到下一代移动设备和企业服务器等领域,还计划进军高可靠性极其关键的汽车市场。

  继今天推出250GB SSD之后,三星计划在今年下半年推出搭载512Gb单元的3bit V-NAND SSD和eUFS。

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